Моя заявка (0)
VT6K1T2CR, MOSFETs SMALL SIGNAL TR MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025562019
Артикул
VT6K1T2CR
Бренд
Rohm
Вес, г
0.14
Серия
VT6K1
Channel Type
N Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 20 ₽)
Минимальный заказ: 8000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор SMALL SIGNAL TR

Технические параметры

Вес, г0.14
СерияVT6K1
Channel TypeN Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада38 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Power Dissipation N Channel150мВт
Power Dissipation P Channel150мВт
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокVMT-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 N-Channel MOSFET
Время нарастания4 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов2 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока100мА
Рассеиваемая Мощность150мВт
Drain Source On State Resistance N Channel2.5Ом
Drain Source On State Resistance P Channel2.5Ом
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1В
Pd - рассеивание мощности150 mW
Другие названия товара №VT6K1
Id - непрерывный ток утечки100 mA
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки8000
Стиль Корпуса ТранзистораVMT
Vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
Непрерывный Ток Стока, N Канал100мА
Непрерывный Ток Стока, P Канал100мА
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал20В
Типичное время задержки выключения20 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток300 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)2.5Ом

Техническая документация