VS-GT100DA120UF Single IGBT, 187 A 1200 V, 4-Pin SOT-227, Panel Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032835039
- Артикул
- VS-GT100DA120UF
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- I(C)
- 187 A
- t(r)
- 55 nS
- V(CE)
- 1200 V
- Brand:
- Vishay Semiconductors
Цена по запросу
(от 11 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модуль Vishay IGBT предназначен для повышения эффективности работы при преобразовании энергии в ИБП, SMPS, TIG-сварке и индукционном нагреве.
Технические параметры
| I(C) | 187 A |
| t(r) | 55 nS |
| V(CE) | 1200 V |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| P(tot) | 890 W |
| td(on) | 131 nS |
| Package | SOT-227 |
| td(off) | 244 nS |
| Mounting | SMD |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Bodydiode | YES |
| Packaging | TUBE |
| Pin Count | 4 |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 0.14 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-227 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package/Case: | SOT-227-4 |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Number of Transistors | 1 |
| Factory Pack Quantity: | 160 |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W |
| Maximum Power Dissipation | 890 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 220 nA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Maximum Continuous Collector Current | 187 A |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 187 A |