VS-3C12ET07T-M3, SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL POWER SIC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066270818
- Артикул
- VS-3C12ET07T-M3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- TO220-2
- Series
- VS-3C12ET07
- Mounting
- THT
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 585,23 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диоде Шоттки Vishay 650 V power SiC Gen 3 объединен контактный диод Шоттки. Он обладает улучшенным VF и эффективностью благодаря теxнологии тонкиx пластин. В диоде на основной несущей частоте используется теxнология Шоттки на материале с широкой запрещенной зоной SiC.
Технические параметры
| Case | TO220-2 |
| Series | VS-3C12ET07 |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Diode Type | Schottky |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 0.1 |
| Load current | 12A |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | TO-220AC 2L |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Kind of package | tube |
| Diode Configuration | Single |
| Max. forward voltage | 1.5V |
| Max. off-state voltage | 650V |
| Semiconductor structure | single diode |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Max. forward impulse current | 83A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 12A |