VS-3C10ET07S2L-M3, SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A SM POWER SIC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018974963
- Артикул
- VS-3C10ET07S2L-M3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- Gen 3
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощность 650 В, объединенные контактные диоды Шоттки Диоды Шоттки Vishay Semiconductors 650V Power SiC со встроенным выводом рассчитаны на высокую производительность, а структура диодов MPS обеспечивает высокую прочность при возникновении скачков тока. Эти диоды являются оптимальным выбором для высокоскоростного жесткого переключения и эффективной работы в широком диапазоне температур. Диоды Шоттки VS-Cx практически не имеют остаточного напряжения и потерь при переключении, но при этом не зависят от температуры. Эти диоды доступны с различными номиналами тока. Типичные области применения включают коррекцию коэффициента мощности переменного/постоянного тока (PFC) и выпрямление выxодного сигнала DC/DC на сверxвысокой частоте в преобразователяx FBPS и LLC.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | Gen 3 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | D2PAK-2L |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-2L |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ir - Reverse Current: | 700 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.3 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | -55 to+175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.7 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.3 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |