VS-3C08ET07T-M3,Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Cathode, 650 V, 8 A, 22 nC, TO-220AC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046472211
- Артикул
- VS-3C08ET07T-M3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- VS-3C08ET07
- Pin Count
- 3
- Diode Type
- Schottky
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диоде Шоттки Vishay 650 V power SiC Gen 3 объединен контактный диод Шоттки. Он обладает улучшенным VF и эффективностью благодаря теxнологии тонкиx пластин. В диоде на основной несущей частоте используется теxнология Шоттки на материале с широкой запрещенной зоной SiC.
Технические параметры
| Series | VS-3C08ET07 |
| Pin Count | 3 |
| Diode Type | Schottky |
| Вес, г | 2 |
| Серия | Gen 3 |
| Package Type | TO-220AC 2L |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Diode Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 8A |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 8 |