VS-3C04ET07S2L-M3,Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 4 A, 12 nC, TO-263AB (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046472202
- Артикул
- VS-3C04ET07S2L-M3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- VS-3C04ET07
- Pin Count
- 3
- Diode Type
- Schottky
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 520 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диоде Шоттки Vishay 650 V power SiC Gen 3 объединен контактный диод Шоттки. Он обладает улучшенным VF и эффективностью благодаря теxнологии тонкиx пластин. В диоде на основной несущей частоте используется теxнология Шоттки на материале с широкой запрещенной зоной SiC.
Технические параметры
| Series | VS-3C04ET07 |
| Pin Count | 3 |
| Diode Type | Schottky |
| Вес, г | 2 |
| Серия | VS-3C04ET07 |
| Package Type | D2PAK 2L(TO-263AB 2L) |
| Корпус | d2pak |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Diode Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 4A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.2 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.3 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 4 |