VS-3C04ED07T-M3/I, SiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 4A 650V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026615296
- Артикул
- VS-3C04ED07T-M3/I
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- eSMP
- Pin Count
- 2
- Diode Type
- Schottky
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 240,28 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В диоде Шоттки Vishay 650 V power SiC Gen 3 объединен контактный диод Шоттки. Он обладает улучшенным VF и эффективностью благодаря теxнологии тонкиx пластин. В диоде на основной несущей частоте используется теxнология Шоттки на материале с широкой запрещенной зоной SiC.
Технические параметры
| Series | eSMP |
| Pin Count | 2 |
| Diode Type | Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | SIC-G3-SMPD |
| Package Type | SMPD 2L |
| Корпус | SMPD 2L |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Diode Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 650V |
| Maximum Continuous Forward Current | 4A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 4 |