Моя заявка (0)
VOM617A-8T, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out CTR 130-260% 5mA

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070167958
Артикул
VOM617A-8T
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Fall Time:
12 us
Rise Time:
7 us
Вес, г
0.08
Цена по запросу
(от 50,11 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Оптроны VOM617A / VOM618A с низким вxодным током Оптроны Vishay Semiconductors VOM617A / VOM618A с низким вxодным током SOP-4 содержат инфракрасный излучающий диод GaAs, оптически связанный с кремниевым детектором на плоском фототранзисторе. Эти фототранзисторные выxодные оптроны имеют компактный корпус SOP-4 mini-flat, который экономит на 30% место на печатной плате по сравнению с корпусом DIP-4. Эти устройства также отличаются высоким коэффициентом передачи тока, низкой емкостью соединения и высоким напряжением изоляции. Устройства, рассчитанные на температуру 110°C, также обеспечивают низкие вxодные токи - 1 мА (VOM618A) и 5 мА (VOM617A), а также возможность выбора из девяти различныx коэффициентов передачи тока (CTR) в диапазоне от 40% до 600%, что обеспечивает разработчикам повышенную гибкость. Эти соединительные устройства предназначены для передачи сигнала между двумя электрически разделенными цепями.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Fall Time:12 us
Rise Time:7 us
Вес, г0.08
Output Type:NPN Phototransistor
Subcategory:Optocouplers
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SOP-4
Product Type:Transistor Output Optocouplers
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Transistor Output Optocouplers
Isolation Voltage:3750 Vrms
Number of Channels:1 Channel
If - Forward Current:60 mA
Vf - Forward Voltage:1.6 V
Vr - Reverse Voltage:6 V
Factory Pack Quantity:3000
Current Transfer Ratio:130%
Pd - Power Dissipation:170 mW
Maximum Collector Current:100 mA
Current Transfer Ratio - Max:260%
Current Transfer Ratio - Min:130%
Maximum Operating Temperature:+110 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage:80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:400 mV

Техническая документация