US6M2TR, MOSFETs N+P 20V 1.5A/1A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025506907
- Артикул
- US6M2TR
- Бренд
- Rohm
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 6 ns, 10 ns
- Rise Time:
- 9 ns, 8 ns
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 6 ns, 10 ns |
| Rise Time: | 9 ns, 8 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | US6M2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.6 nC, 2.1 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A, 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 240 mOhms, 390 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V, 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV, 500 mV |