Моя заявка (0)
UMH11NTN, Digital Transistors DUAL NPN 50V 50MA SOT-363

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025458429
Артикул
UMH11NTN
Бренд
Rohm
RoHS
Details
Brand
ROHM Semiconductor
Width
1.25 mm
Height
0.9 mm
Цена по запросу
(от 7,95 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 50V 50MA SOT-363

Технические параметры

RoHSDetails
BrandROHM Semiconductor
Width1.25 mm
Height0.9 mm
Length2 mm
SeriesUMH11N
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.14
Длина2 mm
СерияUMH11N
SubcategoryTransistors
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Высота0.9 mm
Ширина1.25 mm
ConfigurationDual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseUMT-6
Part # AliasesUMH11N
Product CategoryBipolar Transistors-Pre-Biased
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)100mA
Pd - Power Dissipation150 mW
Power Dissipation (Pd)150mW
Typical Input Resistor10 kOhms
Typical Resistor Ratio1
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Peak DC Collector Current100 mA
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокUMT-6
Continuous Collector Current100 mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)30@5mA, 5V
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min30
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности150 mW
Другие названия товара №UMH11N
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток100 mA
Типичное входное сопротивление10 kOhms
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30

Техническая документация