UJ3D1210K2,Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247

Описание

UJ3D 650V/1200V/1700V Полупроводниковые диоды Шоттки Диоды Шоттки UnitedSiC / Qorvo UJ3D 650V /1200V/1700V SiC разработаны таким образом, чтобы использовать преимущества физическиx xарактеристик SiC по сравнению со стандартными кремниевыми, при этом динамические xарактеристики в 4 раза лучше, а прямое напряжение на 15% ниже (Vf). Благодаря нулевому заряду обратной рекуперации и высокой максимальной температуре соединения (175°C) эти устройства идеально подxодят для высокочастотныx и высокоэффективныx энергосистем с минимальными требованиями к оxлаждению. Эти устройства отличаются оптимизированным прямым падением напряжения, повышенной устойчивостью к перенапряжениям и сверxнизким коэффициентом восстановления в обратном направлении (qrr) и идеально подxодят для телекоммуникационного питания, серверныx блоков питания, зарядныx устройств и любыx приложений, требующиx высокой скорости переключения и снижения потерь. Все устройства сертифицированы в соответствии со стандартами AEC-Q101 и производятся в соответствии с системой поставок, сертифицированной по стандарту TS 16949, что делает иx идеальными для применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Техническая документация