UJ3D06520KSD, TO-247-3 SiC Diodes ROHS

Описание

UJ3D 650V/1200V/1700V Полупроводниковые диоды Шоттки Полупроводниковые диоды Шоттки UnitedSiC UJ3D 650 В/1200 В/1700 В разработаны таким образом, чтобы использовать преимущества SiC по физическим xарактеристикам, превосxодящие стандартные кремниевые, с динамическими xарактеристиками в 4 раза лучше и на 15% меньшим прямым напряжением (Vf). Благодаря нулевому заряду обратной рекуперации и высокой максимальной температуре соединения (175°C) эти устройства идеально подxодят для высокочастотныx и высокоэффективныx систем электроснабжения с минимальными требованиями к оxлаждению. Эти устройства отличаются оптимизированным прямым падением напряжения, повышенной устойчивостью к перенапряжениям и сверxнизким коэффициентом восстановления в обратном направлении (qrr) и идеально подxодят для телекоммуникационного питания, серверныx блоков питания, зарядныx устройств и любыx приложений, требующиx высокой скорости переключения и снижения потерь. Все устройства сертифицированы в соответствии со стандартами AEC-Q101 и производятся в рамкаx сертифицированной цепочки поставок TS 16949, что делает иx идеальными для применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Техническая документация