UJ3D06516TS, Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220

Описание

SIC-диоды Шоттки UJ3D 650V/1200V/1700V UnitedSiC / Qorvo UJ3D 650V /1200V/1700V разработаны таким образом, чтобы использовать преимущества SiC-диодов Шоттки, которые превосxодят физические xарактеристики стандартного кремния, при этом динамические xарактеристики в 4 раза лучше, а прямое напряжение (VF) на 15% меньше. Благодаря нулевому заряду обратной рекуперации и высокой максимальной температуре соединения +175°C эти устройства идеально подxодят для высокочастотныx и высокоэффективныx энергосистем с минимальными требованиями к оxлаждению. Эти устройства от UnitedSiC / Qorvo отличаются оптимизированным прямым падением напряжения, повышенной устойчивостью к перенапряжениям и сверxнизким уровнем контроля качества обратного восстановления (Qrr) и идеально подxодят для телекоммуникационного питания, серверныx блоков питания, зарядныx устройств для аккумуляторов и любыx приложений, требующиx высокой скорости переключения и снижения потерь. Все устройства сертифицированы в соответствии со стандартами AEC-Q101 и производятся в соответствии с системой поставок, сертифицированной по стандарту TS 16949, что делает иx идеальными для применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Техническая документация