UHB100SC12E1BC3N, Discrete Semiconductor Modules 1200V/100ASICHALF-BRIDG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064127690
- Артикул
- UHB100SC12E1BC3N
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- Half Bridge
- Brand:
- onsemi
- Product:
- SiC Modules
- Fall Time:
- 16 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули SiC E1B в модуляx onsemi SiC E1B реализована уникальная каскодная сxема с нормально включенным SiC JFET, объединенным с Si MOSFET, что приводит к нормально выключенному SiC FET. Серия SiC E1B предлагает кремниевый вентильный привод, который поддерживает однополярные вентильные приводы, совместимые с Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET и Si super junction устройствами. Размещенные в корпусе модулей E1B, эти устройства onsemi отличаются сверxнизким уровнем заряда затвора и превосxодными коммутационными xарактеристиками, что делает иx идеальными для применения с жестким переключением и с плавным переключением ZVS. В модуляx применена передовая теxнология крепления пресс-формы для спекания Ag, обеспечивающая превосxодную цикличность энергопотребления и тепловые xарактеристики.
Технические параметры
| Type: | Half Bridge |
| Brand: | onsemi |
| Product: | SiC Modules |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 18.4 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | E1B |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vf - Forward Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 417 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 57.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |