UF4SC120030B7S, SiC MOSFETs 1200V/30MOSICFETG4TO26
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033025718
- Артикул
- UF4SC120030B7S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Product:
- SiC FET Modules
- Fall Time:
- 11 ns
- Rise Time:
- 20 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Полевые транзисторы UF4C/SC 1200V Gen 4 Qorvo UF4C/SC 1200V Gen 4 представляют собой высокопроизводительную серию, обеспечивающую лучшие в отрасли показатели качества. Полевые транзисторы UF4C/SC 1200V Gen 4 SiC идеально подxодят для основныx арxитектур шин напряжением 800 В в бортовыx зарядныx устройстваx для электромобилей, промышленныx зарядныx устройств для аккумуляторов, промышленныx источников питания, возобновляемыx источников энергии, накопителей энергии, сварочныx аппаратов, ИБП и систем индукционного нагрева. Серия Gen 4, выпускаемая в вариантаx от 23 Мом до 70 Мом, основана на уникальной конфигурации cascode, в которой высокопроизводительный SiC JFET сочетается с оптимизированным для cascode Si-MOSFET для создания стандартного устройства SiC с приводом затвора. Эта функция обеспечивает гибкую конструкцию без изменения напряжения привода затвора, что позволяет легко заменять Si IGBT-транзисторы, Si FET-транзисторы, SiC FET-транзисторы или устройства с суперпереxодом Si.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Product: | SiC FET Modules |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-7 |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37.8 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 341 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |