TSCDT20065G1, SiC Schottky Diodes 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034088591
- Артикул
- TSCDT20065G1
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Technology
- Schottky
- Вес, г
- 3.3
- Серия
- TSCDT
Цена по запросу
(от 392,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод 650 В 20А Со сквозным отверстием TO-220AC
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Technology | Schottky |
| Вес, г | 3.3 |
| Серия | TSCDT |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Capacitance @ Vr, F | 92.7pF @ 400V, 1MHz |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45 V @ 20 A |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 20 |