TSCDT10065G1, SiC Schottky Diodes 10A, 650V, SiC Schottky Diode
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034088248
- Артикул
- TSCDT10065G1
- Бренд
- Taiwan Semiconductor
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Technology
- Schottky
- Вес, г
- 2.2
- Серия
- TSCDT
Цена по запросу
(от 309,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод 650 В 10А Со сквозным отверстием TO-220AC
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Technology | Schottky |
| Вес, г | 2.2 |
| Серия | TSCDT |
| Корпус | TO-220AC |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 400V, 1MHz |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45 V @ 10 A |
| Конфигурация диода | однофазный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 10 |