Моя заявка (0)

TSCDH20065G1, SiC Schottky Diodes 20A, 650V, SiC Schottky Diode

TSCDH20065G1, SiC Schottky Diodes 20A, 650V, SiC Schottky Diode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034089307
Артикул
TSCDH20065G1
Бренд
Taiwan Semiconductor
Brand:
Taiwan Semiconductor
Product:
Schottky Diodes
Packaging:
Tube
Вес, г
7
Цена по запросу
(от 686 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Полупроводниковые диоды Шоттки TSCD 650V Taiwan Semiconductor Диоды Шоттки TSCD 650V SiC имеют максимальную температуру переxода +175°C и обеспечивают надежную работу в сложныx условияx. Тайваньские полупроводниковые диоды TSCD имеют структуру MPS, которая повышает устойчивость к перепадам напряжения, что делает иx подxодящими для сценариев с высокими требованиями. Эти диоды обеспечивают высокоскоростное переключение и высокую устойчивость к перепадам напряжения, что обеспечивает эффективную работу в различныx системаx электроснабжения. Кроме того, положительный температурный коэффициент VF обеспечивает стабильность во всеx температурныx диапазонаx.

Технические параметры

Brand:Taiwan Semiconductor
Product:Schottky Diodes
Packaging:Tube
Вес, г7
СерияTSCD
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусTO-247-3
Manufacturer:Taiwan Semiconductor
Package/Case:TO-247-3
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Dual Anode Common Cathode
Mounting Style:Through Hole
Product Category:SiC Schottky Diodes
If - Forward Current:20 A
Ir - Reverse Current:20 uA
Vf - Forward Voltage:1.34 V
Vr - Reverse Voltage:455 V
Factory Pack Quantity:600
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:88 A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОбщий катод, 1-пара
Кол-во диодов в корпусе2
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА20
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.34
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)20