TRS8V65H,LQ(S,Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 23 A, 22 nC, DFN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526601
- Артикул
- TRS8V65H,LQ(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.175
- No. of Pins
- 5 Pin
- Корпус
- DFN
- Diode Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 1 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.175 |
| No. of Pins | 5 Pin |
| Корпус | DFN |
| Diode Mounting | Surface Mount |
| Diode Case Style | DFN |
| Diode Configuration | Single Dual Anode |
| Average Forward Current | 23A |
| Total Capacitive Charge | 22nC |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 23 |