TRS8E65H,S1Q(S,Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 23 A, 22 nC, TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044526600
- Артикул
- TRS8E65H,S1Q(S
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1.9
- No. of Pins
- 2 Pin
- Корпус
- TO-220
- Diode Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 1 100 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1.9 |
| No. of Pins | 2 Pin |
| Корпус | TO-220 |
| Diode Mounting | Through Hole |
| Diode Case Style | TO-220 |
| Diode Configuration | Single |
| Average Forward Current | 23A |
| Total Capacitive Charge | 22nC |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.2 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 23 |