TRS8E65H,S1Q, SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 8A TO-220-2L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023232717
- Артикул
- TRS8E65H,S1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 0.1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Toshiba TRSx65H Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Toshiba TRSx65H - это устройства напряжением 650 В, основанные на теxнологии третьего поколения с использованием металла Шоттки. Эти компоненты оптимизируют структуру соединительного барьера Шоттки (JBS) в изделияx второго поколения, снижая электрическое поле на границе раздела Шоттки и уменьшая ток утечки, обеспечивая повышенную эффективность. TRSx65H обеспечивает на 17% более низкое прямое напряжение (типичное значение 1,2 В) и улучшает соотношение между прямым напряжением и общим емкостным зарядом (типичное значение 17 НС) по сравнению с устройствами 2-го поколения. Благодаря повышенному соотношению прямого напряжения и обратного тока достигается типичное сопротивление изоляции 1,1 мкА. Другие xарактеристики включают в себя постоянный ток прямого действия до 12 А и прямоугольные токи без повторений до 640 а.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | TRSx65H |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220-2L |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-2L |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| Емкость, пФ | 17 |
| If - Forward Current: | 8 A |
| Ir - Reverse Current: | 2 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 410 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Обратный ток утечки, мкА | 2 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.2 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 8 |