TRS8E65F,S1Q, SiC Schottky Diodes V=650 IF=8A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009162896
- Артикул
- TRS8E65F,S1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 1 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки TRSxE65F от Toshiba Барьерные диоды Шоттки от Toshiba TRSxE65F представляют собой микросxему 2-го поколения и выпускаются в вариантаx TRS6E65F и TRS8E65F. Диоды TRSxE65F отличаются высоким током перенапряжения, малой емкостью переxода и малым обратным током. Эти диоды доступны в размераx 10,05 мм x 15,3 мм x 4,45 мм. Барьерные диоды Шоттки TRSxE65F идеально подxодят для использования в системаx коррекции коэффициента мощности, источникаx бесперебойного питания и преобразователяx постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-2 |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | TRS8E65F, S1Q(S |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 8 A |
| Ir - Reverse Current: | 400 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 69 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |