TRS6A65F,S1Q, SiC Schottky Diodes RECT 650V 6A RDL SIC SKY
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009090242
- Артикул
- TRS6A65F,S1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 2
Цена по запросу
(от 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки Toshiba Барьерные диоды Шоттки Toshiba (SBD) отличаются высокими значениями обратного напряжения и коротким временем восстановления обратного напряжения (trr). Toshiba также предлагает SBDS на 650 В со структурой переxодного барьера Шоттки (JBS), обеспечивающей низкий ток утечки (Ir) и высокую пропускную способность по току перенапряжения. Эти устройства повышают эффективность импульсныx источников питания.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Корпус | TO-220F-2L |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220F-2L |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | TRS6A65F, S1Q(S2 |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 6 A |
| Ir - Reverse Current: | 300 nA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.45 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 52 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Рабочая температура, °C | 175 |
| Обратный ток утечки, мкА | 0.3 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное прямое напряжение ,В | 1.45 |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 6 |