TRS3E65H,S1Q, SiC Schottky Diodes RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030356450
- Артикул
- TRS3E65H,S1Q
- Бренд
- Toshiba
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Technology
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- Вес, г
- 1.7
- Mounting Type
- Through Hole
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод 650 В 3А Со сквозным отверстием TO-220-2L
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 1.7 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Capacitance @ Vr, F | 199pF @ 1V, 1MHz |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 45 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 3 A |