TRS3E65H,S1Q, SiC Schottky Diodes G3 SiC-SBD 650V 3A TO-220-2L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022609072
- Артикул
- TRS3E65H,S1Q
- Бренд
- Toshiba
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Technology
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- TRSxxx65H
Цена по запросу
(от 750 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод 650 В 3А Со сквозным отверстием TO-220-2L
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | TRSxxx65H |
| Корпус | TO-220-2L |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Capacitance @ Vr, F | 199pF @ 1V, 1MHz |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 45 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35 V @ 3 A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 3 |