Моя заявка (0)

TRS12V65H,LQ(S,Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN

TRS12V65H,LQ(S,Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 30 A, 33 nC, DFN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637864
Артикул
TRS12V65H,LQ(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.175
No. of Pins
5 Pin
Корпус
DFN
Diode Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 1 360 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.175
No. of Pins5 Pin
КорпусDFN
Diode MountingSurface Mount
Diode Case StyleDFN
Diode ConfigurationSingle Dual Anode
Average Forward Current30A
Total Capacitive Charge33nC
Operating Temperature Max175°C
Тип устройстваДиод Шоттки
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Конфигурация диодаОдиночный
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА2.4
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.2
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)30

Техническая документация