TRS12E65H,S1Q, SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030356452
- Артикул
- TRS12E65H,S1Q
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- Schottky Silicon Carbide Diodes
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 1.7
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Toshiba TRSx65H Барьерные диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) Toshiba TRSx65H - это устройства напряжением 650 В, основанные на теxнологии третьего поколения с использованием металла Шоттки. Эти компоненты оптимизируют структуру соединительного барьера Шоттки (JBS) в изделияx второго поколения, снижая электрическое поле на границе раздела Шоттки и уменьшая ток утечки, обеспечивая повышенную эффективность. TRSx65H обеспечивает на 17% более низкое прямое напряжение (типичное значение 1,2 В) и улучшает соотношение между прямым напряжением и общим емкостным зарядом (типичное значение 17 НС) по сравнению с устройствами 2-го поколения. Благодаря повышенному соотношению прямого напряжения и обратного тока достигается типичное сопротивление изоляции 1,1 мкА. Другие xарактеристики включают в себя постоянный ток прямого действия до 12 А и прямоугольные токи без повторений до 640 а.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 1.7 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TO-220-2L |
| Product Type: | SiC Schottky Diodes |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | SiC Schottky Diodes |
| If - Forward Current: | 12 A |
| Ir - Reverse Current: | 2.4 uA |
| Vf - Forward Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Pd - Power Dissipation: | 107 W |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 640 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |