TRS12A65F,S1Q, SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062589621
- Артикул
- TRS12A65F,S1Q
- Бренд
- Toshiba
- Speed
- No Recovery Time > 500mA(Io)
- Technology
- SiC(Silicon Carbide)Schottky
- Вес, г
- 1.83
- Корпус
- TO-220F
Цена по запросу
(от 1 010 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Диод 650 В 12А со сквозным отверстием TO-220F-2L
Технические параметры
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Technology | SiC(Silicon Carbide)Schottky |
| Вес, г | 1.83 |
| Корпус | TO-220F |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Capacitance @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Supplier Device Package | TO-220F-2L |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Тип устройства | Диод Шоттки |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Operating Temperature - Junction | 175°C(Max) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 12 A |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Материал полупроводника | Карбид кремния |
| Максимальное обратное напряжение (В) | 650 |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А) | 12 |