Моя заявка (0)

TRS10V65H,LQ(S,Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN

TRS10V65H,LQ(S,Silicon Carbide Schottky Diode, Single Dual Anode, 650 V, 26 A, 27 nC, DFN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044637862
Артикул
TRS10V65H,LQ(S
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.175
Серия
TRSx65H
No. of Pins
5 Pin
Корпус
DFN
Цена по запросу
(от 1 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.175
СерияTRSx65H
No. of Pins5 Pin
КорпусDFN
Diode MountingSurface Mount
Diode Case StyleDFN
Diode ConfigurationSingle Dual Anode
Average Forward Current26A
Total Capacitive Charge27nC
Operating Temperature Max175°C
Тип устройстваДиод Шоттки
Repetitive Peak Reverse Voltage650V
Конфигурация диодаОдиночный
Рабочая температура, °C175
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)26

Техническая документация