Моя заявка (0)
TN1215-800G-TR, Тиристор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061993315
Артикул
TN1215-800G-TR
Бренд
STMicroelectronics
Case
D2PAK
Mounting
SMD
SCR Type
1个单向可控硅
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Высокое напряжение NEC 600 В + Защита цепи

Технические параметры

CaseD2PAK
MountingSMD
SCR Type1个单向可控硅
Pin Count3
Вес, г1.68
Gate current15mA
Load current8A
ManufacturerSTMicroelectronics
Package TypeD2PAK
Mounting TypeSurface Mount
Thyristor TypeSCR
Kind of packagereel, tape
Max. load current12A
Off-State Voltage800V
Type of thyristorthyristor
Holding Current (Ih)30mA
Surge Current Rating145A
Operating Temperature-40℃~+125℃
Max. off-state voltage0.8kV
Maximum Holding Current30mA
Средний Ток It8А
Gate Trigger Current(Igt)15mA
Gate Trigger Voltage (Vgt)1.3V
Max. forward impulse current110A
Maximum Gate Trigger Current15mA
Maximum Operating Temperature+125 °C
Minimum Operating Temperature-40 °C
RMS On-State Current(It (rms))12A
Rated Average On-State Current12A
Линейка ПродукцииTN1215
Peak Forward On?State Voltage (Vtm)1.6V
Количество Выводов3вывод(-ов)
Peak Repetitive Off?State Voltage (Vdrm)800V
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage800V
Стиль Корпуса ТиристораTO-263
Максимальный Ток Удержания Ih30мА
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц140А
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms)12А
Максимальная Рабочая Температура125 C
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm800В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора, Igt15мА
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt1.3В

Техническая документация