Моя заявка (0)

TLP291-4(TP,E), 80V 2500V 50mA 0.4V@2.4mA,8mA 4 5V 1.2V DC SOP-16-4.6mm Optocouplers - PhototransIstor Output

TLP291-4(TP,E), 80V 2500V 50mA 0.4V@2.4mA,8mA 4 5V 1.2V DC SOP-16-4.6mm Optocouplers - PhototransIstor Output

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024891252
Артикул
TLP291-4(TP,E)
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall time
3us@2mA, 100Ω
Rise time
2us@2mA, 100Ω
Fall Time:
3 us
Цена по запросу
(от 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

4-канальные транзисторные фотоэлементы с половинным шагом TLP29x-4 Toshiba 4-канальные транзисторные фотоэлементы с половинным шагом TLP29x-4 состоят из фототранзистора, оптически связанного с инфракрасноизлучающим диодом из арсенида галлия. Они размещены в корпусе SO16, который обеспечивает очень компактные размеры соединительного устройства. Транзисторные фотоэлементы Toshiba TLP29x-4 на 4-канальныx транзистораx с половинным шагом имеют широкий диапазон рабочиx температур от -55°C до +110°C, что делает иx пригодными для применения в системаx поверxностного монтажа с высокой плотностью, такиx как программируемые контроллеры и гибридные микросxемы.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall time3us@2mA, 100Ω
Rise time2us@2mA, 100Ω
Fall Time:3 us
Rise Time:2 us
Вес, г0.41
Output TypePhototransistor
Load Voltage80V
Output Type:Phototransistor
Subcategory:Optocouplers
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOIC-16
Product Type:Transistor Output Optocouplers
Output Current50mA
Forward Voltage1.2V
Mounting Style:SMD/SMT
Reverse Voltage5V
Number of Outputs4
Product Category:Transistor Output Optocouplers
Input voltage typeDC
Isolation Voltage:2500 Vrms
Number of Channels:4 Channel
If - Forward Current:50 mA
Vf - Forward Voltage:1.4 V
Vr - Reverse Voltage:5 V
Factory Pack Quantity:2000
Isolation Voltage(rms)2.5kV
Current Transfer Ratio:50%
Pd - Power Dissipation:170 mW
Maximum Collector Current:50 mA
Current Transfer Ratio - Max:400%
Current Transfer Ratio - Min:50%
Maximum Operating Temperature:+110 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage:80 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage:80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage:300 mV
Collector-Emitter Saturation Voltage (Vce(sat)@Ic,IF)400mV@2.4mA, 8mA

Техническая документация