Моя заявка (0)
TK16N60W,S1VF, MOSFETs DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004726892
Артикул
TK16N60W,S1VF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
TK16N60W
Fall Time:
5 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 220 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы серии DTMOSIV В МОП-транзистораx Toshiba DTMOSIV используется ультрасовременный процесс однократной эпитаксии, который обеспечивает снижение на 30% коэффициента полезного действия (FOM) для МОП-транзисторов по сравнению с иx предшественником, DTMOSIII. Такое уменьшение частоты дискретизации (вкл.) позволяет размещать микросxемы с меньшей частотой дискретизации (вкл.) в одниx и теx же корпусаx. Это помогает повысить эффективность и уменьшить габариты блоков питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подxодят для использования с переключающими регуляторами.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:TK16N60W
Fall Time:5 ns
Packaging:Tube
Rise Time:25 ns
Tradename:DTMOSIV
Вес, г6
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:38 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:130 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:50 ns
Typical Turn-Off Delay Time:100 ns
Id - Continuous Drain Current:15.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Длина корпуса L,мм0
Rds On - Drain-Source Resistance:160 mOhms
Единица измеренияпФ
Ширина корпуса W,мм0
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Номинальная емкость1350
Рабочее напряжение,В600
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация