TAJD475K050RNJ, Tantalum Capacitors - Solid SMD 50V 4.7uF 10% 2917 E SR= 1.4 Ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026264647
- Артикул
- TAJD475K050RNJ
- Бренд
- Kyocera AVX
- ESR
- 1.4 Ohm
- C(N)
- 4, 7µ F
- U(N)
- 50 V
- Style
- CHIP
Цена по запросу
(от 121 ₽)
Минимальный заказ: 500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия TAJ от AVX предлагает широкий ассортимент танталовыx конденсаторов общего назначения на SMT-чипаx. Эти надежные конденсаторы имеют диапазон CV 0.
Технические параметры
| ESR | 1.4 Ohm |
| C(N) | 4, 7µ F |
| U(N) | 50 V |
| Style | CHIP |
| Width | 4.3 mm |
| Height | 2.9 mm |
| Length | 7.3 mm |
| Series | TAJ |
| Тип | Tantalum Capacitors |
| T(A)max | 125 °C |
| T(A)min | -55 °C |
| Voltage | 50V dc |
| EIA code | 7343 |
| Military | No |
| Case Code | D |
| IL - (uA) | 2.4 |
| IR - (mA) | 327 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Polarised | Polar |
| Tolerance | ±10% |
| Automotive | No |
| Dielectric | TA2O5 |
| Technology | Electrolytic |
| Вес, г | 0.47 |
| Capacitance | 4.7µF |
| ESR - (Ohm) | 1.4 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Size - (mm) | 7.3 X 4.3 X 2.9 |
| Construction | Flat |
| ESR at temp. | 25 °C |
| Package/Case | 7343-31 |
| Dissip.factor | 0.06 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Surge Voltage | 40 V dc @+125°C, 65 V dc @+85°C |
| Terminal Type | SMT |
| CECC Qualified | No |
| Tolerance Plus | +10% |
| ESR at frequen. | 100 kHz |
| Leakage Current | 2.4 μA |
| Tolerance Minus | -10% |
| Electrolyte Type | Solid |
| Termination Style | Inward L |
| Dissipation Factor | 6% |
| Dissipation Factor - (%) | 6 |
| Выводы/корпус | 2917 |
| Dielectric Material Family | Tantalum |
| Equivalent Series Resistance | 1.4Ω |
| Maximum Operating Temperature | +125°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~125 |
| Единица измерения | мкФ |
| Рабочее напряжение,В | 50 |
| Рабочая температура,С | -55…125 |
| Номинальная емкость,мкФ | 4.7 |
| Допуск номинальной емкости,% | 10 |