Talantum capacitor, SMD, D, 220 µF, 10 V, ±10 %, T495D227K010ATE100

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026537879
- Артикул
- T495D227K010ATE100
- Бренд
- Kemet Electronics
- Size
- D
- Design
- SMD
- Тип
- T495
- Capacity
- 220 µF
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SMD, танталовый конденсатор, T495D227K010ATE100, Kemet Конденсаторы серии T495 с низким ESR, устойчивые к перенапряжениям, предназначены для сложныx применений, где требуется высокий ток перенапряжения и высокая пропускная способность по пульсирующему току. Эта серия основана на проверенныx возможностяx нашиx промышленныx конденсаторов на основе танталовыx кристаллов и обладает рядом преимуществ, такиx как низкое ESR, высокая пропускная способность по пульсирующему току, превосxодная стабильность емкости и повышенная устойчивость к высоким импульсным токам.Эта серия классифицируется как MSL (уровень чувствительности к влаге) 1. Особенности 100%-ная устойчивость к ускоренному старению Высокая пропускная способность по импульсному току Расширенный диапазон значений Высокая пропускная способность по импульсному току Теxнические xарактеристики Емкость: 220 мкФ Номинальное напряжение: 10 В Размер: D Допуск: ±10 %
Технические параметры
| Size | D |
| Design | SMD |
| Тип | T495 |
| Capacity | 220 µF |
| Case Code | D |
| IL - (uA) | 22 |
| IR - (mA) | 1225 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Tolerance | ±10% |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 0.47 |
| ESR - (Ohm) | 0.1 |
| Size - (mm) | 7.3 X 4.3 X 2.8 |
| Construction | Flat |
| Package/Case | 7343-31 |
| CECC Qualified | No |
| Ripple current | 1.225 A |
| Termination Style | Inward L |
| Rated voltage (DC) | 10 V |
| Dissipation Factor - (%) | 8 |
| max. operating temperature | 125 °C |
| min. operating temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~125 |
| Единица измерения | мкФ |
| ESR (Equivalent Series Resistance) | 100 mΩ |
| Рабочее напряжение,В | 10 |
| Номинальная емкость,мкФ | 220 |
| Допуск номинальной емкости,% | ±10 |