Моя заявка (0)
T410-600B, Симистор 4А 600В, 10мА, Logic [D-PAK]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9000058574
Артикул
T410-600B
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
0.4
Серия
T410
Корпус
DPAK(2 Leads+Tab)
Конфигурация
single
Цена по запросу
(от 59,40 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Тринистор T410-600B от STMicroelectronics – это высококачественный симистор в компактном корпусе DPAK для поверхностного монтажа (SMD). Этот полупроводниковый компонент предназначен для управления переменным током и находит применение в различных схемах регулировки мощности, таких как системы освещения, электродвигатели и тепловые приборы. Тринистор обеспечивает эффективное управление электрическими нагрузками, отличается надежностью и долговечностью. Используя T410600B, разработчики получают гарантию стабильности работы и высокую производительность в своих проектах. Характеристики Категория Диод Тип тринисторы Вид симистор Монтаж SMD Корпус DPAK

Технические параметры

Вес, г0.4
СерияT410
КорпусDPAK(2 Leads+Tab)
Конфигурацияsingle
Тип симистораLogic-Sensitive Gate
Ток удержания, мА15
Рабочая температура,С-40…125
Рабочая температура, °C-40…+125
Время включения tвкл.,мкс2
Отпирающее напряжение Uу.от.,В9
Ударный ток в открытом состоянии, А30
Максимальное обратное напряжение Uобр.,В600
Отпирающий постоянный ток управления, мА10
Макс. напр. в открытом состоянии Uос.макс.,В1.6
Отпирающее постоянное напряжение управления, В1.3
Максимальное напряжение в закрытом состоянии, В600
Максимально допустимы ток в открытом состоянии, А4
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс2.7
Макс. кратковременный импульсный ток в открытом состоянии Iкр.макс.,А30
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии Iос.ср.макс.,А4
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии Uзс.повт.макс.,В600
Наименьший ток управления, необходимый для включения тиристора Iу.от.мин.,А0.01
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс400

Техническая документация