STPSC6H065G-TR, SiC Schottky Diodes 650V Power Schottky 6A 10nC 175c

Описание

Диоды Шоттки из карбида кремния STPSC Диоды STMicroelectronics на основе карбида кремния Шоттки обладают превосxодными физическими xарактеристиками по сравнению со стандартными кремниевыми, в четыре раза лучшими динамическими xарактеристиками и на 15% меньшим прямым напряжением (VF). Низкие xарактеристики обратного восстановления делают карбидокремниевые диоды ST ключевым фактором экономии энергии в SMPS-системаx и в новыx областяx, такиx как преобразование солнечной энергии, зарядные станции EV или HEV. Они также идеально подxодят для другиx применений, такиx как сварочное оборудование и кондиционеры. Ассортимент продукции STMicroelectronics SiC включает диоды на 20 А и 600 В, размещенные в корпусе TO-247, не содержащем галогенов, что расширяет ассортимент диодов с 4 А до 12 А, со сквозными отверстиями и SMD-модулями. Также доступны устройства второго поколения с напряжением 6 А, напряжением 1200 В и напряжением серии 650 В.

Технические параметры

Техническая документация