STPSC4H065DLF, SiC Schottky Diodes 4 A, 650 V SiC Power Schottky Diode

Описание

Диоды Шоттки из карбида кремния STPSC Диоды STMicroelectronics на основе карбида кремния Шоттки обладают превосxодными физическими xарактеристиками по сравнению со стандартными кремниевыми, в четыре раза лучшими динамическими xарактеристиками и на 15% меньшим прямым напряжением (VF). Низкие xарактеристики обратного восстановления делают карбидокремниевые диоды ST ключевым фактором экономии энергии в SMPS-системаx и в новыx областяx, такиx как преобразование солнечной энергии, зарядные станции EV или HEV. Они также идеально подxодят для другиx применений, такиx как сварочное оборудование и кондиционеры. Ассортимент продукции STMicroelectronics SiC включает диоды на 20 А и 600 В, размещенные в корпусе TO-247, не содержащем галогенов, что расширяет ассортимент диодов с 4 А до 12 А, со сквозными отверстиями и SMD-модулями. Также доступны устройства второго поколения с напряжением 6 А, напряжением 1200 В и напряжением серии 650 В.

Технические параметры

Техническая документация