Моя заявка (0)

STPSC1206D, (Шоттки SiC 600В 12А), Диод Шоттки SiC 600В 12А (Tc=175°C) 1.4V

STPSC1206D, (Шоттки SiC 600В 12А), Диод Шоттки SiC 600В 12А (Tc=175°C) 1.4V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8211705823
Артикул
STPSC1206D
Бренд
STMicroelectronics
Case
TO220AC
Speed
No Recovery Time > 500mA(Io)
Mounting
THT
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 1 004,33 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диод Шоттки SiC 600В 12А (Tc=175°C) 1.4V

Технические параметры

CaseTO220AC
SpeedNo Recovery Time > 500mA(Io)
MountingTHT
PackagingTube
Diode TypeSilicon Carbide Schottky
TechnologySiC
Вес, г3.5
Серия600V
Part StatusActive
Load current12A
ManufacturerSTMicroelectronics
КорпусTO-220AC
Mounting TypeThrough Hole
Type of diodeSchottky rectifying
Package / CaseTO-220-2
Kind of packagetube
Standard Package50
Max. load current50A
Heatsink thickness1.23…1.32mm
Capacitance @ Vr, F750pF @ 0V, 1MHz
Max. forward voltage2.1V
Емкость, пФ750
Max. off-state voltage0.6kV
Semiconductor structuresingle diode
Supplier Device PackageTO-220AC
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Тип устройстваДиод Шоттки
Max. forward impulse current200A
Current - Reverse Leakage @ Vr150ВµA @ 600V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600V
Current - Average Rectified (Io)12A
Operating Temperature - Junction-40В°C ~ 175В°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7V @ 12A
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C-40…+100
Обратный ток утечки, мкА150
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.7
Максимальное обратное напряжение (В)600
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)12

Техническая документация