Моя заявка (0)

STPSC12065G2Y-TR, SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode

STPSC12065G2Y-TR, SiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004584093
Артикул
STPSC12065G2Y-TR
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STPSC12065-Y
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 720 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STPSC12065-Y
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1.38
СерияSTPSC12065-Y
Technology:SiC
Subcategory:Diodes и Rectifiers
КорпусD2PAK-2(TO-263-2)
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:D2PAK-2(TO-263-2)
Product Type:Schottky Diodes и Rectifiers
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:Schottky Diodes и Rectifiers
If - Forward Current:12 A
Ir - Reverse Current:15 uA
Vf - Forward Voltage:1.3 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаОдиночный
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Обратный ток утечки, мкА15
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.3
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)12

Техническая документация