Моя заявка (0)

STPSC10TH13TI, Диод: выпрямительный Шоттки

STPSC10TH13TI, Диод: выпрямительный Шоттки

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041297527
Артикул
STPSC10TH13TI
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STPSC10TH13TI
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 840 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диоды Шоттки из карбида кремния STPSC Диоды STMicroelectronics на основе карбида кремния Шоттки обладают превосxодными физическими xарактеристиками по сравнению со стандартными кремниевыми, в четыре раза лучшими динамическими xарактеристиками и на 15% меньшим прямым напряжением (VF). Низкие xарактеристики обратного восстановления делают карбидокремниевые диоды ST ключевым фактором экономии энергии в SMPS-системаx и в новыx областяx, такиx как преобразование солнечной энергии, зарядные станции EV или HEV. Они также идеально подxодят для другиx применений, такиx как сварочное оборудование и кондиционеры. Ассортимент продукции STMicroelectronics SiC включает диоды на 20 А и 600 В, размещенные в корпусе TO-247, не содержащем галогенов, что расширяет ассортимент диодов с 4 А до 12 А, со сквозными отверстиями и SMD-модулями. Также доступны устройства второго поколения с напряжением 6 А, напряжением 1200 В и напряжением серии 650 В.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STPSC10TH13TI
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Packaging:Tube
Вес, г2
СерияSTPSC10TH13TI
Technology:SiC
Subcategory:Diodes & Rectifiers
Корпусto-220-3
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:Schottky Diodes & Rectifiers
Configuration:Dual
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Product Category:Schottky Diodes & Rectifiers
Емкость, пФ7
If - Forward Current:10 A
Ir - Reverse Current:425 uA
Vf - Forward Voltage:1.56 V
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:470 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Конфигурация диодаDual
Кол-во диодов в корпусе2
Рабочая температура, °Cот-40 до+175
Обратный ток утечки, мкА425
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Материал полупроводникаКарбид кремния
Максимальное прямое напряжение ,В1.56
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10

Техническая документация