Моя заявка (0)

STPSC10H065DLF, Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT

STPSC10H065DLF, Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004138280
Артикул
STPSC10H065DLF
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Product:
Schottky Silicon Carbide Diodes
Pin Count
2
Вес, г
0.17
Цена по запросу
(от 730 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Диод STMicroelectronics SiC - это мощный диод Шоттки сверxвысокой производительности, изготовленный на основе карбида кремния.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Product:Schottky Silicon Carbide Diodes
Pin Count2
Вес, г0.17
Technology:SiC
Package TypePowerFLAT
Subcategory:Diodes & Rectifiers
КорпусPowerFLAT
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:PowerFLAT 8x8
Product Type:SiC Schottky Diodes
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:SiC Schottky Diodes
Diode ConfigurationSingle
If - Forward Current:10 A
Ir - Reverse Current:9 uA
Vf - Forward Voltage:1.38 V
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:3000
Average Forward Current10А
Number of Elements per Chip1
Тип устройстваДиод Шоттки
Ifsm - Forward Surge Current:850 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
Peak Reverse Repetitive Voltage650V
Repetitive Peak Reverse Voltage650В
Тип Монтажа ДиодаSMD(Поверхностный Монтаж)
Maximum Continuous Forward Current10A
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage:650 V
Количество Выводов5 Выводов
Конфигурация диодаОдиночный
Стиль Корпуса ДиодаPowerFLAT
Кол-во диодов в корпусе1
Рабочая температура, °C175
Материал полупроводникаКарбид кремния
Полный Емкостной Заряд Qc32нКл
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное обратное напряжение (В)650
Максимальный (средний) прямой ток на диод, (А)10

Техническая документация