STGWA75H65DFB2,IGBT, 115 A, 1.55 V, 357 W, 650 V, TO-247LL, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004138576
- Артикул
- STGWA75H65DFB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Package Type
- TO-247
- Number of Transistors
- 1
Цена по запросу
(от 1 010 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройство STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 В, 75 А, высокоскоростной IGBT серии HB2 в корпусе с длинными выводами TO-247.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Package Type | TO-247 |
| Number of Transistors | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 357 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 115 A |