STGWA50M65DF2AG Single IGBT, 119 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050022663
- Артикул
- STGWA50M65DF2AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.14
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 1 430 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
IGBT компании STMicroelectronics разработан с использованием усовершенствованной запатентованной конструкции trench gate fieldstop. Устройство относится к IGBT серии M, которые представляют собой оптимальный баланс между производительностью и эффективностью инверторной системы, где важны низкие потери и защита от короткого замыкания. Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE (sat) и точное распределение параметров обеспечивают более безопасную параллельную работу.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.14 |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-247 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Maximum Power Dissipation | 576 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 119 A |