STGW8M120DF3,IGBT, Trench Gate, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050421377
- Артикул
- STGW8M120DF3
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 4.43
- Серия
- STGW8M120DF3
- Упаковка
- Tube
- Вид монтажа
- Through Hole
Цена по запросу
(от 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Технические параметры
| Вес, г | 4.43 |
| Серия | STGW8M120DF3 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 167 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 uA |
| Размер фабричной упаковки | 600 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 16 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |