STGSH50M120D,IGBT Module, Dual [Half Bridge], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT
![STGSH50M120D,IGBT Module, Dual [Half Bridge], 69 A, 1.8 V, 536 W, 175 °C, ACEPACK SMIT](https://static.epl-electro.ru/lib/186/DOC035186276.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046502179
- Артикул
- STGSH50M120D
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.001
- Корпус
- Module
- IGBT Technology
- Trench Field Stop
- IGBT Termination
- Solder
Цена по запросу
(от 3 800 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Корпус | Module |
| IGBT Technology | Trench Field Stop |
| IGBT Termination | Solder |
| Power Dissipation | 536W |
| IGBT Configuration | Dual(Half Bridge) |
| Структура | полумост |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | ACEPACK SMIT |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Collector Current | 69A |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2kV |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8V |
| Рабочая температура (Tj), °C | 175 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 69 |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 536 |