Моя заявка (0)
STGP4M65DF2,IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8582725886
Артикул
STGP4M65DF2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Packaging:
Tube
Вес, г
1.9
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 175 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

TO-220 IGBTs ROHS

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Packaging:Tube
Вес, г1.9
Technology:Si
Subcategory:IGBTs
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-220-3
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:IGBT Transistors
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:68 W
Gate-Emitter Leakage Current:250 uA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:650 V
Continuous Collector Current Ic Max:8 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.6 V
Continuous Collector Current at 25 C:8 A

Техническая документация