STGIPQ3H60T- HL,Intelligent Power Module (IPM), IGBT, 600 V, 3 A, 1.5 kV, N2DIP, SLLIMM-nano
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8611713933
- Артикул
- STGIPQ3H60T-HL
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.004
- Серия
- STGIPQ3H60T-HL
- Продукт
- IGBT Silicon Carbide Modules
- Упаковка
- Tube
Цена по запросу
(от 1 910 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
| Вес, г | 0.004 |
| Серия | STGIPQ3H60T-HL |
| Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
| Упаковка | Tube |
| Технология | SiC |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | N2DIP-26 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | SLLIMM |
| Размер фабричной упаковки | 360 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 3 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |