STGF20H65DFB2 IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032910221
- Артикул
- STGF20H65DFB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand
- STMicroelectronics
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.14
- Package Type
- TO-220FP
Цена по запросу
(от 650 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия STMicroelectronics IGBT 650 В HB2 представляет собой эволюцию усовершенствованной запатентованной конструкции полевого затвора trench gate-stop. Характеристики серии HB2 оптимизированы с точки зрения проводимости, благодаря улучшенным xарактеристикам VCE (sat) при низкиx значенияx тока, а также с точки зрения снижения энергии переключения.
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.14 |
| Package Type | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Number of Transistors | 1 |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Подкатегория | IGBTs |
| Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |