STGD10HF60KD,IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013238317
- Артикул
- STGD10HF60KD
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.33
- Серия
- STGD10HF60KD
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 278 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM
Технические параметры
| Вес, г | 0.33 |
| Серия | STGD10HF60KD |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 10 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 18 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.75 V |