STGB30H65DFB2,IGBT, 50 A, 1.65 V, 167 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004138568
- Артикул
- STGB30H65DFB2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1.69
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- IGBTs
Цена по запросу
(от 340 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия STMicroelectronics IGBT 650 В HB2 представляет собой эволюцию усовершенствованной запатентованной конструкции полевого затвора trench gate-stop.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 1.69 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A |